Структура за темами
Електроніка та мікросхемотехніка
Виникли труднощі при проходженні курса? Задай питання, та отримай допомогу.
Знаєш відповідь - допоможи іншому!
Також тут потрібно повідомляти про здачу (оновлення) завдань до лабораторних робіт, проходження тестів, тощо.
Тема1: Біполярні транзистори
Основні питання за темою:- Напівпровідникові транзистори
- Принцип дії біполярного транзистора
- Режими роботи біполярних транзисторів
- Основні параметри біполярних транзисторів
- Три схеми включення біполярних транзисторів
- Транзистор, як активний лінійний чотириполюсник (h-параметри БТ)
Тема 2: Режими роботи біполярного транзистора
Основні питання за темою:
- Динамічний режим роботи транзистора
- Ключовий режим роботи транзистор
- Динамічні властивості транзисторного ключа
- Методи підвищення швидкодії транзисторного ключа
Тема 3: Аналогові підсилювачі
Основні питання за темою:
- Основні відомості та класифікація підсилювачів
- Основні параметри і характеристики підсилювачів
- Класи підсилювачів
- Забезпечення стійкості робочої точки транзистора при впливі зовнішніх дестабілізуючих факторів
- Робота підсилювача на біполярному транзисторі
- Спотворення сигналу в підсилювачі
- Диференціальний підсилювач
Тема 4: Схеми на біполярних транзисторах
Основні питання за темою:
- Стабілізатор напруги на БТ
- Схеми стабілізатора струму на БТ
- Струмове дзеркало
Тема 5: Польові транзистори
Основні питання за темою:
- Основні відомості та принцип роботи
- Польовий транзистор з управляючим p-n переходом
- Польові транзистори з ізольованим затвором
- Основні параметри польових транзисторів
Тема 6: MOSFET і IGBT транзистори
Основні питання за темою:
- Структура і принцип дії MOSFET транзисторів
- Структура і принцип дії IGBT транзисторів
- Вплив паразитних параметрів на роботу MOSFET і IGBT
- Особливості управління MOSFET і IGBT транзисторами
- Особливості вибору силових транзисторів
Тема 7: Особливості управління MOSFET і IGBT транзисторів
Основні питання за темою:
- Процес включення/виключення MOSFET транзистора
- Процес включення/виключення IGBT транзистора
- Розрахунок параметрів кола управління MOSFET і IGBT транзисторів
- Способи захисту MOSFET і IGBT транзисторів від перевищення dV/dt
- Розрахунок статичних і динамічних втрат MOSFET і IGBT транзисторів
- Стандартні схемні рішення управління затвором
- Способи захисту від пробою затвору
Тема 8: Тиристори
Основні питання за темою:
- Класифікація та умовні графічні позначення тиристорів
- Принцип роботи тиристорів
- Керовані тиристори
- Симістори
- Основні параметри тиристорів
- Області застосування тиристорів, схеми включення
Тема 9: Оптопари
Основні питання за темою:- Визначення та сфери використання
- Основні параметри оптопар
- Типові схеми включення оптопар
- Деякі особливості оптопар
- Твердотільні реле
- Визначення та сфери використання
Тема 10: Твердотільні реле
Основні питання за темою:
- Визначення та сфери використання
- Переваги та недоліки твердотільних реле
- Основні параметри твердотільних реле
- Класифікація твердотільних реле
- Типові схеми твердотільних реле
Тема 11: Джерела опорної напруги
Основні питання за темою:
- Загальні відомості про ДОН
- TL431 - «регульований стабілітрон»
- Основні параметри ДОН
- Приклади використання ДОН
Тема 12: Інтегральні регулятори напруги
Основні питання за темою:
- Призначення і принцип роботи
- Основні параметри інтегральних стабілізаторів
- Типові схеми включення лінійних стабілізаторів
- Довідкові дані лінійних стабілізаторів серій 78Lxx і 79Lxx
Екзамен